Zelikman G.A., Mazel E.Z., Press F.P., Fronk S.W. "Technologia diod i tranzystorów krzemowych"

Wydawnictwa Naukowo - Techniczne, wydanie 1, nakład 2200 egz., Warszawa, 1966,
(tłumaczyli: Michał Korwin - Pawłowski, Ireneusz Wójcik)

Przedmowa (5)
Wykaz ważniejszych oznaczeń (7)
1. Własności fizyczne i chemiczne krzemu (9)
Ogólne własności fizyczne. Własności chemiczne. Własności elektryczne. Defekty strukturalne sieci krystalicznej. Wpływ obróbki cieplnej.
2. Wykonywanie złącz p-n w krzemie metodami wyciągania oraz stopową (34)
Uwagi ogólne. Metoda wyciągania. Metoda stopowa.
3. Wykonywanie złącz p-n w krzemie metodami dyfuzji i wzrostu epitaksjalnego (66)
Krótki opis metody dyfuzji. Podstawy teorii procesów dyfuzyjnych. Metody badania warstw dyfuzyjnych. Sposoby realizacji procesów dyfuzji. Dane doświadczalne o dyfuzji domieszek w krzemie. Aparatura technologiczna i wskazówki metodyczne. Metoda wzrostu epitaksjalnego.
4. Metody wykonywania kontaktów omowych z elektrodami diod i tranzystorów krzemowych (144)
Uwagi ogólne. Wykonywanie kontaktów omowych metodą stopową. Inne metody wykonywania kontaktów omowych.
Literatura (155)

[spis książek]

© 2000-2002 FonAr Sp. z o.o. e-mail: waw@fonar.com.pl