|
Wydawnictwa Naukowo-Techniczne, wydanie 1, nakład 2200 egz.,
Warszawa, 1967
Tłumaczyli: mgr inż. Michał Korwin-Pawłowski, dr inż. Jerzy Pułtorak,
mgr inż. Ireneusz Wójcik
|
- Przedmowa (7)
- Wykaz ważniejszych oznaczeń (11)
- 1. Wstęp (15)
- 2. Procesy przejściowe w diodach
półprzewodnikowych (21)
- 2.1. Gromadzenie i usuwanie ładunku
- 2.2. struktura diod
- 2.3. Rozkład dziur w bazie
- 2.4. Charakterystyki przełączania
- 2.5. Ładunek przełączania
- 2.6. Zanik napięcia na
diodzie po wyłączeniu prądu przewodzenia
- 2.7. Przełączanie z opóźnieniem
- 2.8. Wpływ poziomu iniekcji
- 2.9. Wpływ warunków przełączania
- 2.10. Modulacja rezystancji
bazy w diodzie ostrzowej
- 2.11. Charakterystyki włączania
diod warstwowych
- 2.12. Rekombinacja nośników
ładunku
- 3. Własności i parametry diod
impulsowych (62)
- 3.1. Parametry elektryczne
- 3.2. Charakterystyka prądowo-napięciowa
- 3.3. Charakterystyki impulsowe
- 3.4. Układ zastępczy
- 3.5. Pomiary parametrów
impulsowych
- 3.6. Przełączanie impulsów
radiowych
- 4. Technologia i konstrukcja diod
impulsowych (121)
- 4.1. Diody ostrzowe
- 4.2. Diody stopowe
- 4.3. Diody dyfuzyjne typu
"mesa"
- 4.4. Diody z gromadzeniem ładunku
- 4.5. Perspektywy rozwojowe
- 5. Charakterystyki cieplne diod
impulsowych (178)
- 5.1. Wydzielanie się ciepła
w złączu p-n
- 5.2. Opór cieplny diody
- 5.3. Obliczanie oporu
cieplnego części składowych konstrukcji diody
- 5.4. Metodyka pomiaru
charakterystyk cieplnych
- 5.5. Impulsowe charakterystyki
cieplne diody
- 6. Uzupełnienia (201)
- 6.1. Dane katalogowe półprzewodnikowych
diod impulsowych produkcji krajowej
- 6.2. Dane elektronicznych
przyrządów pomiarowych produkcji radzieckiej
- Literatura (203)
|